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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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熱壓法：ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內(nèi)充填入適當(dāng)粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓，同時(shí)以1000℃～1600℃進(jìn)行燒結(jié)。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小，燒結(jié)溫度較低，燒結(jié)時(shí)間較短。但熱壓法生產(chǎn)的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻，撫順金蒸發(fā)鍍靶材，從而影響了生產(chǎn)ITO薄膜的均勻性，且不能生產(chǎn)大尺寸的靶。
由表面層和基層組成的半導(dǎo)電輥；該表面層具有較高的電阻值，由橡膠組合物制成；基層具有較低的電阻值，由導(dǎo)電橡膠組合物組成。該半導(dǎo)電輥的目的在于通過良好地平衡表面層和基層的電阻值而獲得良好的靜電充電特性。有必要使這兩種層的厚度高度準(zhǔn)確。為使兩種層的厚度高度準(zhǔn)確，金蒸發(fā)鍍靶材哪家好，需要較麻煩的管理，金蒸發(fā)鍍靶材誰家好，并且生產(chǎn)橡膠輥的成本較高。
各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，金蒸發(fā)鍍靶材技術(shù)，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線。
在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個(gè)正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。
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第9年
